ネクスファイ・テクノロジー株式会社では次世代パワーデバイスである炭化珪素（SiC）半導体デバイスを活用し、高電圧機器の開発・生産を行っています。
・SiC半導体素子は、高電圧・大電流を扱うアプリケーションに適するパワー素子です。
・数十kVを越えるような領域で、Si半導体に比較して圧倒的な性能を発揮します。
・NexFiではSiCの高速性・高耐電圧に着眼して独自技術を開発しております。
NexFiのコア技術
耐電圧1 kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続し、10 kVをこえる高電圧スイッチモジュールを実現しました。
| 高電圧・高速パルス | 20 kVを超える高電圧を100 kHz以上でスイッチングします |
| 大電流パルス | 500Aをこえる電流パルスを1 kpps以上の繰り返しで出力します |
| 高スルーレート | 200 kV/μs以上のスルーレートを有しており、絶縁試験等にも利用できます |
応用分野
SiC搭載の高電圧機器を様々な先進技術・製品に応用することにより、省エネ、環境問題の解決に貢献してまいります。
xEV (絶縁破壊試験機など)
有害物質除去（プラズマ用パルス電源）
再生可能エネルギー（直流遮断器）
